شماره ركورد كنفرانس
4183
عنوان مقاله
شبيه سازي ترانزيستور اثر ميداني گرافن نانو ريبوني با به كار بردن لايه نازك با دوپينگ كم بين كانال و اتصالات سورس و درين با روش گرين
پديدآورندگان
مسعودي نسب مصطفي Mostafa.masoudinasab@gmail.com دانشگاه آزاد اسلامي ايران، واحد اراك، دپارتمان برق و الكترونيك، اراك , حري اشكان دانشگاه آزاد اسلامي ايران، واحد اراك، دپارتمان برق و الكترونيك، اراك
تعداد صفحه
3
كليدواژه
گرافن نانو ريبون , GNRFET , روش گرين , جريان روشنايي , تاخير زماني
سال انتشار
1395
عنوان كنفرانس
اولين همايش ملي فناوري نانو
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
در اين مقاله به بررسي ترابرد كوانتومي در ترانزيستور گرافن نانو ريبوني اثر ميداني((GNRFET با استفاده از روش گرين مي پردازيم.در ساختار GNRFET ارائه شده از دو فلز گيت استفاده شده و سورس و درين به صورت يكسان دوپينگ شده و يك لايه نازك با دوپينگ كم بين كانال و هر كدام از اتصالات سورس و درين استفاده شده است. در ساختار ارائه شده جريان روشنايي و تاخير زماني را بررسي مي كنيم .
كشور
ايران
لينک به اين مدرک