بررسي بي¬ثباتي دمايي ناشي از باياس در فرآيندهاي ساخت نانومتري

كوچك-مقياس شدن شتابان تكنولوژي، بويژه در گره¬هاي تكنولوژي كوچكتر از 65nm، چالشهاي قابليت اطمينان و حفظ سطح كارايي مطلوب در طول عمر قطعات تجاري را تشديد نموده است. مهمترين دغدغه قابليت اطمينان در فرآيندهاي نانومتري نوين، بي¬ثباتي دمايي ناشي از باياس (BTI) است. اين مقاله به بررسي اين مشكل مي¬پردازد و در فرآيندهاي نانومتري با ترانزيستورهاي سنتي (bulk CMOS)، ترانزيستورهاي high-k/metal-gate و نيز فرآيندهاي FinFET به تحليل آن مي¬پردازد و در نهايت روشهاي مقابله با اين پديده مطرح مي¬شوند.