مطالعه ي محاسباتي جذب مولكول CO در نانولوله ي BeO خالص و داراي ناخالصي B به روش DFT

دراين پژوهش با بهره گيري از نظريه تابع چگالي(DFT) ، روش B3LYP و سري پايه 6-31G* اثر جذب مولكول CO را روي نانولوله هاي تك ديواره آرمچير (4و4) BeO دوپه شده با اتم B مورد بررسي قرار داده ايم. باتوجه به روند تغييرات در فاصله بين اوربيتال هاي HOMO و LUMO مدل هاي مورد مطالعه مي توان نتيجه گرفت كه با افزايش ناخالصي B در نانولوله رسانايي الكتريكي افزايش مي يابد اين در حالي است كه در مدل هاي B dope O رسانايي بيشتري ديده مي شود.نتايج جدول جذب سطحي نشان مي دهد بيشترين ميزان جذب سطحي در مدل B dope O CO-Attached و كمترين ميزان جذب سطحي در مدل خالص ديده مي شود.