افزايش سطح موثر نانوذرات اكسيد تيتانيوم در سلول هاي خورشيدي رنگدانه اي به كمك تزريق بار الكتريكي و اندازه گيري آن توسط طيف سنجي نوري

در اين مقاله روشي نوين با عنوان تزريق بار الكتريكي در حين فرايند پخت لايه فوتو آند در مورد سلول­هاي خورشيدي رنگدانه­اي معرفي مي­شود. اين روش به خوبي توانسته است تجمع نانو ذرات اكسيد تيتانيوم را در ساختار فوتو آند كاهش دهد و سطح موثر را به منظور قرار گيري رنگدانه افزايش دهد. تصاوير FESEM به وضوح جدايي نانوذرات را در اثر تزريق بار الكتريكي نشان مي­دهند. نتايج جريان- ولتاژ نشان مي­دهد كه بار الكتريكي توانسته است جريان مدار كوتاه را به ميزان 31 % افزايش دهد. به منظور بررسي سطح موثر و ميزان رنگ بار گذاري شده در ساختار فوتو آند از روش طيف سنجي جذبي نور استفاده شد. اطلاعات طيفي نشان مي­دهد كه تزريق بار الكتريكي توانسته است ميزان قرار گيري رنگ را در ساختار فوتو آند نانو متخلخل به ميزان قابل توجه­اي (48%) افزايش دهد.