تأثير جايگاه نقص در بلور فوتوني يك بعدي گرافن پايه بر جذب نوري

در اين مقاله اثر تعداد تناوب سلول­هاي واحد اطراف لايه ­ي نقص در يك بلور فوتوني يك بعدي گرافن پايه را بر طيف جذب بررسي مي­كنيم. با فرض اينكه تعداد تناوب سلول واحد قبل و بعد از لايه­ي نقص به ترتيب m و n باشد، نشان مي­ دهيم كه در هر m با افزايش n، جذب در محل مد نقص رو به بهبود مي­ گذارد. بعلاوه، براي دست­يابي به جذب افزايش يافته در ساختار، علاوه بر n هاي بالاتر بايستي از m هاي پايين نيز استفاده كرد.