تأثير ميدان مغناطيسي و مغناطش بر پذيرفتاري باري ايستاي نانو نوار آرمچير كربني

The effect of magnetic field and magnetization on the static charge susceptibility of armchair graphene nanoribbon

در اين مقاله به كمك هاميلتوني سيستم تحت تقريب تنگ بست ابتدا توابع گرين الكتروني نانو نوار آرمچير كربني را توسط اپراتورهاي خلق و فناي الكتروني محاسبه مي كنيم. سپس پذيرفتاري ايستاي باري سيستم را با استفاده از رهيافت پاسخ خطي كوبو كه پذيرفتاري باري وابسته به اسپين را بر اساس تابع همبستگي چگالي-چگالي مي‌نويسد محاسبه مي كنيم. رهيافت تابع گرين ماتسوبارا جهت يافت تابع پاسخ باري دستگاه مورد استفاده قرار مي گيرد. سپس اين تابع را با قرار دادن بر حسب دما رسم كرده و تاثير ميدان مغناطيسي و همچنين مغناطش (قطبش اسپيني) را بر اين تابع بررسي مي كنيم.