پاشندگي انرژي و مقاومت مغناطيسي گرافين در حضور عيب توپولوژيكي

Energy dispersion and magnetoresistance of graphene in the presence of topological defect

ديناميك كوانتوم نسبيتي فرميون بدون جرم در يك فضا- زمان خميده مورد مطالعه قرار گرفته و اثرات حاصل از تئوري هندسي بر روي ترازهاي لاندائو و نيز مقاومت مغناطيسي در شبكه اتمي گرافين ناكژين در حضور شار مغناطيسي و همچنين ميدان مغناطيسي خارجي غيريكنواخت مورد بررسي قرار ميگيرد. با تحليل رفتار اين كميتهاي مزوسكوپي برحسب تابعي از شار مغناطيسي ميتوان مشاهده نمود كه حضور عيب توپولوژيكي، تبهگني ترازهاي انرژي را كاهش داده و همچنين انحناي سطح مخروطي الگوي نوساني مقاومت مغناطيسي را تحت تأثير قرار ميدهد.