اثر بي‌نظمي تهي‌جايي روي حالت‌هاي لبه‌اي دست‌سان و توپولوژيكي نانو روبان‌هاي فسفرين با مرز زيگزاگ

The effect of vacancy disorder on the conductance of both topological and chiral edge states of zigzag phosphorene nanoribbon

در اين مقاله ما نانو روبان فسفرين محدود را در حضور بي‌نظمي تهي‌جايي تصادفي در نظر مي‌گيريم. در غياب ميدان مغناطيسي عمودي ، رسانش حالت‌هاي لبه‌اي توپولوژيكي در نانو روبان هاي فسفرين با مرز زيگزاگ با افزايش بي‌نظمي تهي‌جايي ، كاهش مي‌يابد در حالي كه در حضور ميدان مغناطيسي حالت‌هاي لبه‌اي دست‌سان در برابر بي‌نظمي مقاوم هستند. بعلاوه ، در مقايسه با روبان‌هاي گرافين ، بي‌نظمي نمي‌تواند بر روي حالت‌هاي به دور از انرژي فرمي تاثيرگذار باشد.

we consider confined phosphorene nanoribbon (PNR) in presence of random vacancy disorder . we find that, in the absence of perpendicular magnetic field ,the conductance of zigzag PNR topological edge states decreases by increasing the vacancy disorder , while in presence of magnetic field , the chiral edge states are robust. Furthermore, in contrast to the graphene ribbons, the effect of disorder can not affect the other states far from Fermi energy.