مطالعه ساختار نواري(الكتروني و مغناطيسي) و گذار در نوار نانوصفحه GaP

بيشترين كاربرد GaP به علت نيمرسانا بودن اين ماده است. ساختار بلوري آن به صورت دستگاه بلوري مكعبي است. گاليم فسفيد يك ماده نيمه رسانا از مواد پلي كريستال (چند بلوري) است و يك شكاف باند غير مستقيم به اندازه 2.26eV دارد. گاليم فسفيد به دليل داشتن نواري پهن، پايداري گرمايي بالا و كاربرد فراوان در صنعت الكترونيك بسيار مورد مطالعه و بررسي قرار گرفته است. در اين مقاله براي محاسبه خواص فيزيكي مختلف يك بلور از نرم افزار محاسباتي Wien2K استفاده كرديم. با برش بلور حجيم GaP در راستاي(011) خواص ماده كاملا تغيير كرده و ماده از يك نيمرسانا با گاف پهن تبديل به يك نيمرسانا با گاف 1.782eV شده است. نكته قابل توجه آن است كه ما از يك ماده حجمي غير نانومتري يك ساختار نانو دوبعدي ايجاد كرده ايم كه كاملا داراي گاف انرژي بسيار عالي در صنعت نانو است.