اثر جريان الكتروني چاه كوانتمي دو بعدي بر چگالي نويز در ترانزيستورهاي تحرك پذير بالاي الكتروني AlGaN/GaN

در اين مقاله يك مدل تحليلي چگالي نويز الكتروني چاه كوانتمي دو بعدي ترانزيستورهاي اثرميدان AlGaN/GaN ارائه شده كه قادر مي سازد بطور دقيق اثر ولتاژ گيت و ولتاژ درين سورس را برچگالي نويز بررسي كنيم. در اين مدل جريان و تحريك الكتروني سد كوانتم AlGaN و همچنين زير باندهاي پر ونيمه پر چاه كوانتمي دو بعدي ٬ بهمراه تركيبي از حل خودسازگار معادله شرودينگر و پواسون وابستگي به دماي گاف نواري ٬ تراكم الكتروني چاه كوانتمي٬ ولتاژ آستانه٬ تحرك الكتروني٬ ثابت دي الكتريك ٬چگالي بار قطبش القايي منظور شده است . نتايج حاصله از مدل تطابق خوبي با ساير مدل هاي ارائه شده و نتايج تجربي دارد.