مدل سازي تحليلي اثرات كانال كوتاه در ترانزيستورهاي با گيت دو ماده اي احاطه شده در شرايط زير آستانه

در اين مقاله با استفاده از مدل پتانسيل دو بعدي بدست آمده و بر اساس مدل تحليلي ولتاژ آستانه به عنوان ولتاژ گيتي كه در اثر آن وارونگي حامل ها در كانال رخ مي دهد, به بررسي برخي آثار كانال كوتاه پرداخته شده است. از جمله مهم ترين اثرات كانال كوتاه در ترانزيستور ماسفت با گيت دو ماده اي احاطه شده ,تغييرات ولتاژ آستانه، كاهش سد پتانسيل با القاي درين و شيب زير آستانه است. مدل-سازي اثرات كانال كوتاه بر مبناي مفهوم كاتد مجازي و در شرايط كاري زير آستانه انجام گرفته است. به عبارتي كاتد مجازي صفحه اي در امتداد طول كانال است كه مينيمم پتانسيل درآن اتفاق مي افتد.در اين ساختار ها به دليل دو ماده اي بودن گيت و احاطه شدن كامل كانال با گيت ,كنترل مطلوبي روي آثار كانال كوتاه خواهيم داشت.در پايان تطبيق مناسب بين نتايج شبيه سازي و مدل هاي ارائه شده,صحت مدل ها را تائيد مي كند.