شماره ركورد كنفرانس
4474
عنوان مقاله
شبیه سازی و مقایسه ترانزیستورهای اثرمیدانی نانو نوار گرافنی،سیلیكن و ژرمانن با استفاده از روش تابع گرین
پديدآورندگان
حري اشكان دانشگاه آزاد اسلامي، اراك - گروه مهندسي برق- الكترونيك , حاجي نوروز قاسم دانشگاه آزاد اسلامي، اراك - گروه مهندسي برق- الكترونيك
كليدواژه
گرافن , سيليكن , ژرمانن , فرمولاسيون تابع گرين(NEGF) , معادله شرودينگر
عنوان كنفرانس
همايش بين المللي افق هاي نوين در علوم پايه و فني و مهندسي
زبان مدرك
فارسي
چكيده فارسي
در اين مقاله به بررسي عملكرد بالستيك ترانزيستورهاي اثر ميداني نانو نوار مبتني بر گرافن ، سيليكن و ژرمانن پرداخته ايم.شبيه سازي ها در حالت بالستيك و با استفاده از روال تابع گرين غير تعادلي(NEGF ) در فضاي مد صورت گرفته است. نتايج حاصله نشان مي دهد كه ترانزيستور اثر ميدان نانو نوار گرافني داراي نسبت جريان روشني به خاموشي بالاتر و تاخير زماني بيشتر و توان مصرفي كم تر و بازاي كاهش ولتاز گيت داراي جريان تونل زني كم تري نسبت به ترانزيستورهاي اثر ميدان نانو نوار سيليكني وژرمانني مي باشد.
كشور
ايران
تعداد صفحه 2
12
كلمات كليدي
گرافن ، سیلیكن ، ژرمانن ، فرمولاسیون تابع گرین(NEGF) ، معادله شرودینگر
از صفحه
1
تا صفحه
12
لينک به اين مدرک