تمام جمع‌كننده سه ارزشي مبتني بر تكنولوژي نانو لوله هاي كربني

Ternary full adder based on carbon nanotubes technology

رشد سريع فناوري ساخت مدارهاي الكترونيكي و ورود به مرز فناوري نانو، همواره با مزاياي دور از انتظاري همراه است كه چالش‌هاي فراواني را نيز فرا روي متخصصين الكترونيك قرار داده است. در اين مقاله مدار جمع كننده سه سطحي با استفاده از فناوري نانولوله كربني مورد بررسي قرار گرفته است. طرح مدار با استفاده از شبيه ساز HSPICE و مدل ترانزيستور CNTFET ارائه شده توسط دانشگاه استنفورد در سال 2008 ، شبيه سازي شده و با استفاده از تحليل گذاريي كه اين شبيه ساز به ما مي دهد مقدار توان مصرفي و همچنين تاخير مدار را در شرايط مختلف بدست آورد. نتايج بدست آمده حاكي از آن است كه توان مصرفي و تاخير انتشار مدار و تعداد ترانزيستور ها به طور چشم گيري نسبت به طرح هاي قبلي كاهش يافته است.

The rapid growth of technology in building electronic circuits and nanotechnology entering the border with unexpected benefits to this technology have many challenges facing the electronics specialist also placed. In this thesis, a study of transistors cntfet and cmos, how do these types of transistors multi-level circuit picker provided. The circuit is designed using carbon nanotube technology. The project proposed circuit using a simulator, HSPICE and the transistor CNTFET provided by Stanford University in 2008, the simulation and analysis of making the simulator gives us the amount of power consumption. The results showed that power consumption and propagation delay circuit and transistor counts are dramatically reduced compared to previous designs.