اثرات پارامترهاي ساختاري بر روي بهره نوري ديودهاي ليزري چاه كوانتومي چندگانه نيتريدي

The Effects of Structural Parameters of GaN Based Asymmetric Multiple Quantum Wells on Optical Gain in Laser Diodes

در اين مقاله به بررسي عملكرد بهره نوري چاه كوانتومي چندگانه نيتريدي پرداخته مي شود، ميزان بهره نوري در ساختار چاه كوانتومي چندگانه با پارامترهاي ساختاري متفاوت مورد بررسي قرار گرفته است. نمودار بهره نوري براي كسرمولي متفاوتي از آلومينيوم در لايه هاي سدي در محدوده ي 0.2 تا 0.8 و نيز تغييرات عرض چاه كوانتومي در محدوده 1 تا 5 نانومتر شبيه سازي شده است. نتايج محاسبات نشان مي دهد افزايش عرض چاه كوانتومي و همين طور افزايش سد منجر به كاهش بهره نوري مي شود.

In this paper, the optical gain of multiple GaN asymmetric quantum well based laser diode has been investigated. The rate of optical gain in the structure of multiple quantum wells with different structural parameters is considered. The optical gain is obtained for different values of aluminum mole fraction (from 0.1 to 0.8) and variations of quantum well thickness from 1 nm to 5 nm. The results of our calculations show that increasing the width of the multiple quantum wells and increasing of the aluminum mole fraction will decrease the optical gain