أثير محل آلايش سيليكوني در خواص نوري چاههاي كوانتومي نيتروژن دار

Effect of Si-doping Position on Optical Properties of Nitride Quantum Well

ما در اين مقاله نتايج مطالعه اپتيكي سه نمونه از چاههاي چندگانه كوانتومي GaN/AlxGa1-xN كه توسط سيليكون در نقاط مختلف آلايش يافته اند را گزارش مي كنيم . اين مطالعه به روش فتولومينسانس انجام گرفته است . نمونه اول در ناحيه سد، نمونه دوم هر دو ناحيه چاه و سد و نمونه سوم در ناحيه چاه توسط Si و با چگالي يكسان آلايش يافته اند . در نمونه اول و دوم گسيل از چاههاي چندگانه كوانتومي بالاتر از گاف انرژي GaN است . اما در نمونه سوم كه چاه آلايش يافته است يك شيفت قابل ملاحظه به سمت انرژي هاي كم ( انتقال قرمز ) مشاهده مي شود . انتقال انرژي گسيلي در نمونه آلايش يافته در چاه به دليل اندركنش بين الكترون - الكترون در بين الكترونهاي مي با شد كه در افت و خيز پتانسيل ته چاه ناشي از حضور يونهاي مثبت Si ايجاد شده است

The effects of Si doping on the emission energy in a set of GaN/AlGaN multiple quantum well (MQW) samples with different position of the dopant layer were studied by means of photoluminescence (PL) measurements. When the doping is in the barrier and in both barrier and well, the MQW emission appears above the GaN band gap, while the sample doped in the well shows a redshifted emission. The redshift is attributed to the self-energy shift of the electron states due to the correlated motion of the electrons exposed to the fluctuating potential of the donor ions.