وابستگي مغناطورسانش يك نانو حلقه پلي استيلني به مكان دو نقص پيوندي

Dependence of Magneto-conductance of a Polyacetylene Nanoring on the Position of Two Bonding Defect

در اين مقاله با استفاده از روش تابع گرين در رهيافت تنگابست، ترابرد الكتروني يك نانو حلقه پلي استيلني واقع در يك ميدان مغناطيسي با تغيير محل نقص پيوندي در آن مورد بررسي قرار گرفته است نتايج نشان ميدهند كه رسانش الكتريكي نانو حلقه در حضور ميدان مغناطيسي نسبت به غياب آن، تغييرات زيادي دارد همچنين تغيير محل نقص هاي پيوندي بر روي حلقه پلي استيلن، رسانش الكتروني در گاف انرژي داراي تغييرات بيشتري است مي توان از اين تغييرات براي كنترل رسانش و طراحي كليد و يا آشكارساز مغناطيسي و يا آشكارساز نقص پيوندي در سامانه هاي مولكولي بهره جست.

In this paper, we study the electronic transport through a polyacetylene nanoring including two bonding defects by using Green’s function technique at the tight-binding approach. The position of these defects is allowed to be changed and a magnetic field is applied on the system. The results show that the electric conductance of the nanoring strongly depends on the value of applied magnetic field. The position variation of bonding defects, dramatically influences on the electrical conductance especially in the gap region area. One can use these results to control the conductance or to design the magnetic switch and detector or bonding defect detector in the molecular systems.