وابستگي دمايي مشخصه هاي ديود شاتكي Al/p-Si و محاسبه ثابت ريچاردسون

Temperature dependence of Al/p-Si Schottky diode characteristics and calculation the Richardson coefficient

در اين تحقيق مشخصه جريان ولتاژ (I-V) ديود شاتكي Al/p-Si در گستره دمايي نمونه 300-100 كلوين ارزيابي شد. فاكتور ايده آل، ارتفاع سد شاتكي و جريان اشباع معكوس تعيين و وابستگي دماي آنها مشخص شد. ثابت ريچاردسون ديود با در نظر گرفتن غير يكنواختي ارتفاع سد محاسبه شده و مقدار 29/3 Acm-2K-2 به دست آمد.

The current-voltage (I-V) characterization of Al/p-Si Schottky diode measured at 100-300 °K sample temperature have been evaluated in this paper. Ideality factor, Schottky barrier height, and reverse saturation current and their sample temperature dependence have been determined. The value of 29.3 Acm-2K-2 for Richardson coefficient of diode has been determined by taking into account the non-uniform distribution of barrier height.