نانو نوارهاي فسفرين ، ترانزيستورهاي اثر ميدان

Phosphorene nanoribbons field effect transistors

در پژوهش حاضر به بررسي ترابرد الكتروني نانونوارهاي فسفرين با مرز زيگزاگ پرداخته ايم با استفاده از يك مدل هاميلتوني شامل پنج پارامتر پرش كه اخيراً براي اين سيستم ارائه شده است، در رژيم كوانتومي همدوس، رسانش اين نانونوارها را شبيه سازي نموده ايم. ساختارخاص اين نانو نوارهاي شبه يك بعدي، وجود يك جفت حالت لبه اي شبه - تخت را در نزديكي انرژي فرمي باعث ميشو . د اثر ميدان الكتريكي عرضي به نمونه باعث جدايي اين نوارهاي لبه اي از يكديگر شده و يك اثر ترانزيستوري را شكل ميدهد. مقادير ميدان الكتريكي بحراني مورد نياز براي گذار به حالت ترانزيستوري بر حسب عرض نوار را نيز مقياس نموده ايم.

The present study investigated the electron transport of zigzag phosphorene nanoribbons. Using a model Hamiltonian contains five hopping parameters, which was recently presented for this system ,we have simulated the quantum conductance of this nanoribbons in coherent regime . Due to the special structure of this system , there is a pair of quasi-flat edge states near the fermi energy and completely detached from the bulk states.. The effect of a transverse electric field on the sample, cause the separation of edge bands and forming a transistor effect thus, these ribbons are a promising candidate for future field-effect transistors.