بررسي اثر فشار بر فاز توپولوژي تركيب LuPtBi

Study the effect of pressure on the topological phase of LuPtBi compound

در پژوهش كنوني تركيب نيم هويسلر LuPtBi مورد مطالعه قرار گرفته است. با استفاده از نظريه تابعي چگالي به وسيله كد محاسباتي Wien2k ويژگي هاي الكتروني، ساختاري و فاز توپولوژي اين تركيب مورد بررسي قرار گرفته است. بدين منظور سهم هر يك از اتمها و اوربيتالهاي اتمي در ويژگيهاي الكتروني تركيب محاسبه شده است. با رسم نمودار چگالي حالتهاي الكتروني و ساختار نواري نشان داده شد كه اين ماده يك رساناي توپولوژي ميباشد. نظم نواري اين تركيب در فشار صفر بررسي شده و سپس اثر فشار بر فاز توپولوژي اين تركيب مطالعه شده است.

The Half-Heusler LuPtBi compound has been investigated in the present study. The electronic, structural properties and the topological phase of LuPtBi compound have been studied using density functional theory by the Wien2k package. Therefore, the contribution of each atoms and atomic orbital in the electronic properties of the compound are calculated. The plot of the density of states and band structure shows that this compound is a topological conductor. The band order of this compound at zero pressure is investigated. Then, the effect of pressure on topological phase of this compound is studied.