تاثير دماي بازپخت بر مشخصات الكتريكي ديود سد شاتكي Al / p-Si

Effect of annealing temperature on the electrical characteristics of Al/p-Si Schottky barrier diode

در اين مقاله ديودهاي شاتكي Al / p - Si به روش لايه نشاني تبخير حرارتي بر بستر سيليكان نوع پذيرنده ساخته و مشخصه يابي شدند. پارامتر هاي فاكتور ايده آل، ارتفاع سد شاتكي و جريان اشباع معكوس با اندازه گيري منحني جريان ولتاژ ديود هاي باز پخت شده در محدوده دمايي 100-350 °C و تحليل بر اساس نظريه گسيل گرما يوني بدست آمدند. تأثير باز پخت بر روي پارامترهاي شاتكي بررسي شد و دريافتيم كه دماي مناسب باز پخت 300 °C مي باشد

In this paper, Al/p-Si Schottky diodes which fabricated onto acceptor type silicon substrate using thermal evaporation layer deposition, were characterized. Ideality factor, reverse saturation current, Schottky barrier height, of the annealed diodes at the 150-350 °C temperature, have been determined via analyzing the measured current-voltage curves in terms of thermionic emission theory. The effect of annealing process on the Schottky parameters have been inspected and found that the optimum anneal temperature has been 300 °C.