TM بررسي پهناي نوار گاف در يك كريستال فوتونيِ يك بعدي با سلول سه لايه اي در تابش مايلِ

Investigation of Band Gap Width in a Ternary One Dimensional Photonic Crystal with oblique TM incidence ray

در اين مقاله به بررسي تغييرات پهناي نوار گاف يك كريستال فوتوني يك بعدي تخت نسبت به تغييرات ضرايب شكست و ضخامت لايه ها در چند زاويه ي متفاوت براي يك موج فرودي TM مي پردازيم. با توجه به رفتار نوار گافها نسبت به اين تغييرات و با توجه به اينكه در يك سلول واحد متشكل از سه لايه ي متفاوت درجات آزادي بيشتري در تنظيم نوار گاف وجود دارد، رابطه اي براي محاسبه حداقل مقدار ممكن ضريب شكست براي لايه ي افزوده شده به عنوان لايه سوم ارائه مي كنيم. در كريستالهاي سه لايه اي ميتوان پهناي نوار گاف را نسبت به سيستم هاي دو لايه اي افزايش يا كاهش داد و در طراحي بازتابانندهها و آينه هاي همه سويه از پهناي نوار گاف بهينه استفاده نمود.

In this paper, we investigate the variations of band gap width (BGW) with respect to variations of refractive index and thickness of layers in a planar 1D photonic crystal for a TM wave and some different incidence angles. According to treatment of BGWs toward these variations and existence of more degrees of freedom in a cell consists of three different layers, we introduce a relation to calculate minimum possible value of refractive index of added layer as the third layer. In ternary crystals one can increase or decrease BGW with respect to binary systems and use optimum BGW in designing omnidirectional mirrors and reflectors.