بررسي اثر تزريق حفره بر قدرت برهمكنش جفت كننده ي الكترون فونون و ابررسانايي فونون - واسطه در گرافين از طريق جايگزيني اتم كربن با بور توسط محاسبات اصول اوليه

Investigating the effect of hole-doping on strength of electron-phonon coupling interaction and phonon-mediated superconductivity in Graphen through replacing Carbon atom with Boron by first-principles calculations

در اين مطالعه به بررسي قدرت برهمكنش جفت كننده ي الكترون فونون و ابررسانايي فونون-واسطه در گرافين و اثر تزريق حفره از طريق جايگزيني اتم كربن با تم بور بر روي اين خصوصيات، با استفاده از محاسبات اصول اوليه در چارچوب نظريه ي تابعي چگالي (DFT) مي پردازيم. براي اين منظور ساختار نواري الكتروني، چگالي حالت هاي كلي و جزئي، طيف پراكندگي فونون، قدرت برهمكنش جفت كننده الكترون-فونون و دماي گذار ابر رسانايي Tc اين ساختارها محاسبه شد. نتايج بدست آمده نشان مي دهند كه حفره آلاييدن در حدود 1/2cm 4/5×10 از طريق 12/5% جايگزيني اتم كربن با اتم بور باعث افزايش چگالي حالت ها در سطح فرمي و در نتيجه افزايش دماي گذار ابرسانايي مي شود.

In this study, we investigate the strength of electron-phonon coupling interaction and phonon-mediated superconductivity in Graphene and the effect of hole-doping through replacing C atom with B atom on these properties by using first-principles calculations within the framework of density functional theory (DFT). For this purpose, the electronic band structure, total and partial density of states (EDOS, PDOS), phonon dispersion, strength of electron-phonon coupling interaction and superconductivity transition temperature TC were calculated. Obtained results show that hole-doping around 4.5×1014 (1/cm2) by replacing %12.5 Carbon atom with Boron, increases density of states at the Fermi surface and therefore enhances superconductivity transition temperature.