بررسي اثر ترازهاي تله اي بر جريان گيت ترانزيستورهاي با تحرك پذيري بالاي الكتروني Al 0 . 25 Ga 0 . 75 N / GaN

در ترانزيستورهاي اثر ميدان ساختارهاي نامتجانس AlGaN/GaN ترازهاي تله اي سطحي متناظر با نواحي گيت نشده بين گيت ودرين و نيز ترازهاي تله اي موجود در لايه AlGaN باعث نشت جريان گيت از فلز گيت به گاز الكتروني دو بعدي وبه درين مي شوند . وهمچنين اين ترازها از جمله عوامل ايجاد نويز در اين ترانزيستورها مي باشند . در اين مقاله يك مدل تئوري بر اساس تونل زني وابسته به ترازهاي تله اي لايه AlGaN ونيز جريانهاي نشتي ايجاد شده بواسطه ترازهاي تله اي سطحي ارائه شده است . جريان نشتي محاسبه شده از مدل فوق سازگاري بسيار خوبي با نتايج تجربي دارد