اثر تنش و كشش بلوري در ساختار باندهاي انرژي لايه هاي نازك نيمه هادي InGaAs

The Effects Of Strain and Stress On Energy Band Structure Of InGaAs Semiconductor Thin Layers

در رشد لايه هاي نازك نيمه هادي و استفاده آنها در صنعت ليزرهاي نيمه هادي بدليل ناخوانا بودن ثابت شبكه هاي بلوري در لايه هاي رشد داده شده،تنش و كشش ايجاد مي شود كه خود باعث تغيير ساختار باندها و زير باندهاي انرژي دربلور نيمه هادي مي گردد . براي محاسبه باندها و زير باندها از اثر جفت شدگي اربيت - اربيت براي زير باندهاي حفره - سنگين HH و حفره - سبك LH ظرفيت صرفنظر نكرده ايم؛اما از اثر جفت شدگي اسپين - اربيت دو زير باند ذكر شده با زير باند شكافتي در k =0 چشم پوشي كرده ايم؛زيرا انرژي شكافتي بين اين باند و باندهاي ديگر در حدي است كه در فرايند هايي مانند بهره در ليزرهاي نيمه هادي شركت نمي كند و يا نقش بسيار كوچكي دارد

In growth of the semiconductor layers and use of these applications in laser industry , we encountered strain and stress associated with lattice mismatch which modifies the energy band structures in semiconductors . To calculate the bands and subbands we didn’t ignore the orbit-orbit coupling between HH and LH valance subbands but have ignored the effects of the spin-orbit coupling between the so called bands and the split-off band at k=0 because the split-off energy is large enough that it doesn’t contribute to laser gain or its contribution is too small.