p216. مطالعه ميزان بازده و شبيه سازي سلول خورشيدي دو پيوندي InAlAs/AlAsSb با لايه تونلي InAs

Study of efficiency and simulating bipolar InAlAs/AlAsSb solar cell with InAs Tunneling layer

در اين مقاله از بسته نرم افزاري Silvaco Atlas براي شبيه سازي سلول خورشيدي دو پيوندي بر پايه InAlAs و AlAsSb استفاده شد.ضخامت‌هاي بهينه 0.08,0.1,0.14,0.08 به ترتيب براي لايه پنجره‌اي، اميتر، بيس و ميدان پشت سطحي سلول تك پيوندي InAlAs بدست آمدند كه بازده 6.46 درصدي را نتيجه دادند. همين ضخامت‌ها، بازده 6.68 درصدي را براي AlAsSb نتيجه دادند كه يك افزايش جزئي را نشان مي‌دهد. سلول دو پيوندي تونلي بدست آمده با اين لايه‌ها، بازده حداكثري 11.01 درصد را با لايه‌ تونلي InAs نتيجه مي‌دهد كه يك افزايش 1.5 درصدي نسبت به مقدار گزارش شده 9.03 درصدي در مقالات را نشان مي‌دهد.

In this paper, Silvaco-Atlas software package was employed to simulate hetero-junction bipolar solar cells based on InAlAs and AlAsSb. For single-junction InAlAs solar cells, the optimum 0.08,0.1,0.14 and 0.08 thicknesses were obtained for window, emitter, base and back-surface field layers, respectively which result 6.46 percent efficiency. These thicknesses result 6.68 percent efficiency for ALAsSb that exhibit a slight enhancement. The resulted bipolar cell from these layers results 11.01 percent efficiency with InAs Tunneling layer which shows an increase of %1.5 from reported %9.03 value in literatures.