طراحي تقويت كننده كم نويز CMOS پهن باند 7 تا 17 گيگاهرتز با تكنيك فيدبك مقاومت موازي

تقويت كننده هاي كم نويز، يكي از اجزاي اساسي گيرنده در مخابرات بي سيم محسوب مي شوند زيرا عملكرد آنها كارايي سيستم را از نظر نويز و خطي بودن مشخص مي كند. هدف اصلي اين مقاله تحليل و طراحي تقويت كننده كم نويز فراپهن باند توسط تكنولوژي CMOS است. تقويت كننده كم نويز طراحي شده در تكنولوژي 130نانو وپهناي باند 7 تا 17 گيگاهرتز و با منبع تغذيه 1.2 ولت و توان مصرفي 13.7 ميلي وات و داراي گين dB 17 و عدد نويز 2.6 تا 3.4 dB مي باشد.تاثير تغييرات اجزا مدار بر پارامترهاي پراكندگي مدار بررسي شده است. در اين مقاله از تكنيك هاي فيدبك مقاومتي و سلف ديجنريشن استفاده شده كه علاوه بر ايجاد تطبيق امپدانس ورودي براي انتقال ماكزيمم توان، مقدار نويز مدار نيز بهينه مي شود.