مدل‌سازي ابرشبكه‌هاي AlxGa1-xAs)m/(GaAs)n) با استفاده از روش Empirical Tight-Binding

Modeling of (AlxGa1-xAs)m/(GaAs)n superlattices using Empirical Tight-Binding Method

در اين مقاله رفتار شكاف انرژي و طول‌موج قطع و ضريب شكست ساختار ابرشبكه‌هاي AlxGa1-xAs)m/(GaAs)n) رشد يافته بر زيرلايه (GaAs(100 از نظر ضخامت‌هاي GaAs و AlxGa1-xAs و ضرايب مولي مختلف Al موجود در تركيب AlxGa1-xAs بررسي شده است. براي اين منظور، از روش (Empirical Tight-Binding(ETBM با تقريب *sp3s و در نظر گرفتن اولين نزديكترين همسايه و برهمكنش‌هاي Spin-Orbit استفاده شده است. همچنين براي شبيه‌سازي شكاف انرژي و طول‌موج قطع و ضريب شكست براي طيف وسيعي از ضخامت‌هاي مواد سازنده، Stress/Strain و Energy Band Lineups نيز براي ابرشبكه AlxGa1-xAs)m/(GaAs)n) در نظر گرفته شده است.