كاهش توان و بهبود عملكرد OTA چهار طبقه بر اساس جايگزين نمودن ترانزيستورهاي CNTFET بجاي MOSFET

Reducing the power and improving the performance of four-stage OTA based on replacing CNFET transistors instead of MOSFETs

اين پژوهش در خصوص معماري يك طبقه ي تفاضلي آبشاري شده با سه طبقه سورس مشترك مي باشد كه كليه ترانزيستور هاي MOSFET با مدل CNTFET جايگزين شده است. در سالهاي اخير در تلكنولوژي CMOS به منظور استفاده از بهره DC خيلي بالا ، از تقويت كننده هاي چند طبقه استفاده شده است كه طراحي و بهره برداري در فركانس هاي بالا ( محدوده GHz ) با توجه به پايداري گين، فاز و كاهش توان مصرفي يك كار چالش برانگيز است، به ويژه وقتي كه تكنولوژي هاي نانومتري در اختيار گرفته شوند. اين تقويت كننده كه بر اساس ترانزيستور CNTFET طراحي شده است از لحاظ كاهش توان مصرفي، عملكرد گين پهناي باند (GBW) و Phase، نسبت به طراحي نوع MOSFET باتوجه به شبيه سازي انجام شده بهبود قابل توجه اي كسب نموده است.