مطالعه نظري دوپ شدن نانولوله بورنيتريد (4و4) توسط اتم‌هاي K، Ca و Ga

Theoretical study of doped boron nitride nanotube by K, Ca and Ga atoms

در اين تحقيق تاثير دوپ شدن بر روي پايداري و خواص الكتروني نانولوله بورنيتريد توسط اتم‌هاي K، Ca و Ga با استفاده از روش DFT در سطح نظري B3LYP و مجموعه پايه 6-31G بررسي شده است .همچنين يكسري خواص الكتروني نظير شكاف انرژي، پتانسيل شيميايي الكتروني، شاخص الكترون‌دوستي، نرمي و سختي شيميايي مورد مطالعه قرار گرفت. با توجه به نتايج به‌دست آمده، مشاهده گرديد كه نانولوله بورنيتريد دوپ نشده پايدارتر از نانولوله دوپ شده است.

In this study, the doping effect by K, Ca and Ga atoms has been investigated on the stability and electronic properties of boron nitride nanotube using the DFT method at the theoretical level of B3LYP and 6-31G base set. Also, some electronic properties such as HOMO–LUMO gap, electronic chemical potential, electrophilicity index, chemical hardness and softness are examined. According to the obtained results, it was observed that non-doping boron nitride nanotube is more stable than doped nanotubes.