ويژگي هاي ترموالكتريكي ديامان نيمرساناي C4ClF

Thermoelectric properties of semiconducting diamane C4ClF

در اين مقاله خواص الكتريكي و پارامترهاي ترموالكتريكي نانو ساختار دوبعدي C4ClF با رهيافت نظريه تابعي چگالي مطالعه شده است. نتايج نشان ميدهد كه C4ClF يك گاف نواري مستقيم در مركز منطقه بريلوئن به اندازه ۰/۸۸eV دارد. بيشينه ضريب سيبك براي آلايش نوع P برابر است با ۱۵۸۴µV/K و براي آلايش نوع n برابر با ۱۵۱۴µV/K - مي باشد. همچنين با افزايش دما ضريب سيبك كاهش مي يابد و بيشترين مقدار ضريب سيبك در بازه دمايي۳۰۰-۲۰۰ كلوين روي مي دهد. ضريب توان براي آلايش نوع n بيشينه است و با افزايش دما افزايش مي يابد و بيشترين مقدار ضريب توان در بازه دمايي ۹۰۰-۱۱۰۰ كلوين روي مي دهد.

In this paper the electronic and thermoelectric properties of two-dimensional C4ClF monolayers are studied in the framework of density functional theory (DFT). Our calculations indicate that C4ClF monolayers have a direct band gap in the center of the Brilluin region of 0.88 eV. The maximum of Seebeck coefficient is 1584 μV/K (-1514 μV/K) for P-type (n-type) monolayers. Also, the Seebeck Coefficient decreases with arising of temperature and highest value of Seebeck coefficient occurs in the temperature range of 200-300 K. Power factor is maximum for n-type monolayers and it increases with arising of temperature and it has the highest value in the temperature range of 900-1100 K.