القاي يكسوسازي در نانو نوارهاي گرافني آرمچير مجاور هم با آلايش با اتمهاي بور و نيتروژن

ويژگيهاي الكترونيكي و رفتار يكسوسازي در ساختارهاي شامل 3 نانونوار گرافني آرمچير مجاور هم كه با اتمهاي نيتروژون و بور آلايش يافته است، با استفاده از روش تنگ بست تابعي چگالي، مورد بررسي قرار گرفت. آلايش 2 نانو نوار جانبي دو طرف كانال، كه نقش گيت‌هاي جانبي را براي نانو نوار مركزي دارند، سبب تغيير هدايت الكتريكي آنها و نانو نوار كانال نيمه‌هادي مركزي غير آلائيده مي‌گردد. در نتيجه، اندازه ولتاژ آستانه باياس مستقيم به ميزان قابل ملاحظه اي كاهش مي‌يابد، به صورتي كه در ساختار آلايش يافته با هر دو ناخالصي بور و نيتروژن، اين ولتاژ در حدود 2/0 ولت است. همچنين، نسبت به ساختار آلايش نيافته، جريان الكتريكي باياس مستقيم ساختارهاي آلايش يافته افزايش يافته است. در بين همه ساختارها، اين ساختار 3A(565)-BN داراي بالاترين نسبت يكسوسازي به بزرگي 107×76/3 است؛ همچنين، حداكثر جريان باياس مستقيم در محدوده باياس اعمالي مربوط به اين ساختار است كه مقدار آن به μA29/8 مي‌رسد.