شبيه سازي ساختار انرژي نانو ذرات نيمه هادي سولفيد كادميوم با روش تنگ بست

سولفید كادمیوم نیمه هادی گروه II–VI با شكاف باند مستقیم و برابر eV 4/24 در حالت توده می باشد. این ماده در تولید ادوات اپتوالكترونیكی كاربرد فراوان داشته و امروزه به دلیل زمان بر بودن و هزینه های بالای روشهای آزمایشگاهی، شبیه سازی خواص الكترونیكی نانو ساختارهای این ماده مورد توجهمی باشد. در این مقاله شبیه سازی خواص الكترونیكی نانو ساختار نیمه هادی سولفید كادمیوم با روش تنگ بست انجام گرفته و در آن از پارامترهای SK استفاده شده است. شكاف باند در اندازه های مختلف محاسبه و با گزارشات تجربی مقایسه گردید بعلاوه نشان داده شد كه افزایش اندازه در محاسبات صورت گرفته از اثر اندازه كوانتومی پیروی می كند