سنتز لايه ي نازك ITO توسط تكنيك سل - ژل طي فرايند اكسيداسيون قلع (II) به قلع (VI)

پديدآورندگان

بهشتي نژاد نهال نويسنده دانشگاه صنعتي خواجه نصيرالدين طوسي، دانشكده علوم، گروه شيمي خيابان , حشمت پور فلورا نويسنده

تعداد صفحه

4

كليدواژه

سل - ژل , خواص اپتيكي و الكتريكي , Ito , اكسيداسيون

عنوان كنفرانس

شانزدهمين كفنراسن اپتيك و فوتونيك ايران و دومين كنفرانس مهندسي فوتونيك ايران

زبان مدرك

فارسی

چكيده فارسي

report iconخلاصه مقاله: در اين تحقيق نانولايه هاي نازك ITO توسط تكنيك سل - ژل تهيه و با روش غوطه وري روي لام ميكروسكوپي نشانده شدند. براي تهيه ي سل معمولا از نمك قلع (VI) استفاده مي شود. از آنجايي كه استفاده از نمكهاي قلع (II) مقرون به صرفه تر است. در اين تحقيق اگزالات قلع (II) و اينديم فلزي به عنوان مواد اوليه و I2,H2O2 به عنوان اكسنده استفاده شد. يد نسبت به آب اكسيژنه نتايج بهتري را به همراه داشت. الگوي XRD توليد ساختار بلورينه ي ITO را تاييد نمود تصوير SEM يكنواختي ITO را نشان داد. ميزا عبور درناحيه UV-VIS (حدود 88% ) و ميزان مقاومت الكتريكي در حدود 4 10 ×3/4W/sq بدست آمد. كلمات كليدي:

شماره مدرك كنفرانس

1845181

سال انتشار

1388

از صفحه

1

تا صفحه

4

سال انتشار

0