ترانزيستور MESFET كربيد سيليسيم با گيت تو رفته در سمت سورس و درين و لايه مدفون N در كانال

در اين مقاله، يك ترانزيستور MESFET با گيت تورفته در دو سمت سورس و درين و لايه مدفون نوع N در كانال (SDS-DRG) ارائه مي‌گردد. مهم‌ترين پارامترهاي الكتريكي ساختار پيشنهادي همچون اثر كانال كوتاه، هدايت انتقالي، جريان درين و ولتاژ شكست شبيه‌سازي شده و با همين مقادير در ترانزيستورهاي MESFET با گيت تورفته در سمت سورس (SS-DRG) و گيت تو رفته در سمت درين (DS-DRG) مقايسه مي‌شود. نتايج شبيه‌سازي نشان مي‌دهد كه كاهش ضخامت كانال زير گيت در ساختار SDS-DRG، باعث بهبود ماكسيمم هدايت انتقالي و كاهش اثر كانال كوتاه در مقايسه با ساختارهاي SS-DRG و DS-DRG مي‌گردد. كاهش ضخامت كانال زير گيت در سمت درين در ساختار SDS-DRG، جهت افزايش ولتاژ شكست نسبت به ساختار SS-DRG استفاده مي‌شود. همچنين لايه مدفون N با چگالي ناخالصي بالا در SDS-DRG، منجر به افزايش جريان درين اشباع در مقايسه با SS-DRG و DS-DRG مي‌شود.