بررسي مشخصه‌هاي الكتريكي AlGaN/GaN-HEMT با واردكردن لايه P در لايه سد در دو سمت سورس و درين

در اين مقاله، يك ترانزيستور HEMT گاليم نيترايدي با يك لايه نيمه‌هادي نوع P در لايه سد در هر دو سمت سورس و درين (SD-PL) مورد بررسي قرار مي‌گيرد. مهم‌ترين پارامترهاي الكتريكي اين ترانزيستور را مانند خازن گيت - سورس، خازن گيت - درين، هدايت انتقالي، فركانس قطع، ميدان الكتريكي افقي، ولتاژ شكست، هدايت خروجي و جريان درين اشباع به وسيله نرم‌افزار دو بعدي اطلس شبيه‌سازي مي‌كنيم. نتايج شبيه‌سازي شده در ساختار پيشنهادي با دو ساختار ديگر با لايه P در سمت سورس (SD-PL) و لايه P در سمت درين (D-PL) و ساختار مرسوم مقايسه مي‌شوند. مطابق نتايج به دست آمده، ساختار پيشنهادي باعث بهبود خازن گيت - سورس، ماكسيمم هدايت انتقالي، فركانس قطع و هدايت خروجي در مقايسه با ساختار D-PL مي‌گردد. همچنين اين ساختار جديد باعث كاهش ماكسيمم ميدان الكتريكي در گوشه گيت سمت درين شده و در نتيجه، ولتاژ شكست را به ميزان قابل ملاحظه‌اي در مقايسه با ساختار مرسوم افزايش مي‌دهد. افزايش طول (LP) و ضخامت (TP) لايه P در ساختارهاي SD-PL و S-PL باعث بهبود ولتاژ شكست، خازن گيت- سورس، خازن گيت - درين و هدايت خروجي خواهد شد.