كاهش جريان خاموشي در ترانزيستور اثر ميدان بدون پيوند دو گيتي نانومتري با استفاده از مهندسي آلايش ميانه كانال

مقياس‌بندي طول كانال، جريان نشتي افزاره بدون پيوند دوگيتي (DGJL-FET) را افزايش مي‌دهد و در نتيجه توان مصرفي افزاره در حالت خاموش افزايش مي‌يابد. در اين مقاله، ساختار نويني براي كاهش جريان نشتي افزاره DGJL-FET پيشنهاد شده كه Modified DGJL-FET ناميده مي‌شود. در ساختار Modified DGJL-FET آلايش كانال در زير گيت با آلايش سورس و درين يكسان، اما بيشتر از ميانه كانال است. نتايج شبيه‌سازي نشان مي‌دهد با كاهش ضخامت لايه آلاييده زير گيت، D، جريان نشتي كاهش مي‌يابد. براي افزاره پيشنهادشده با طول كانال nm 10 جريان خاموشي دو دهه بزرگي كمتر از افزاره Regular DGJL-FET است. عملكرد افزاره Regular DGJL-FET و Modified DGJL-FET براي طول كانال‌هاي مختلف بر حسب نسبت جريان حالت روشني به جريان حالت خاموشي (ION/IOFF)، شيب زير آستانه (SS) و تأخير ذاتي گيت مقايسه شده است. براي افزاره Modified DGJL-FET، D و آلايش ميانه كانال به عنوان پارامترهاي اضافي براي بهبود عملكرد افزاره در رژيم نانومتر در نظر گرفته شده است. نتايج شبيه‌سازي نشان مي‌دهد در افزاره پيشنهادشده با طول كانال nm 15، SS و ION/IOFF نسبت به افزاره Regular DGJL-FET به ترتيب 14% و 6^10 دهه بزرگي بهبود يافته است.