استفاده از گيت كمكي براي بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستور اثر ميدان بدون پيوند سيليكون بر روي عايق

در ترانزيستورهاي اثر ميدان بدون پيوند سيليكون بر روي عايق (SOI-JLFET)، آلايش سورس-كانال-درين از يك سطح و يك نوع است. بنابراين فرايند ساخت آنها نسبت به ترانزيستورهاي اثر ميدان مد وارونگي سيليكون بر روي عايق آسان‌تر است. با اين حال، شيب زيرآستانه (SS) زياد و جريان نشتي بالا در SOI-JLFET، عملكرد آن را براي كاربردهاي سرعت بالا و توان پايين با مشكل مواجه كرده است. در اين مقاله براي اولين بار استفاده از گيت كمكي در ناحيه درين SOI-JLFET براي بهبود SS و كاهش جريان نشتي پيشنهاد شده است. ساختار پيشنهادشده SOI-JLFET Aug ناميده مي‌شود. انتخاب بهينه براي تابع كار گيت كمكي و طول آن، سبب بهبود هر دو پارامتر شيب زيرآستانه و نسبت جريان روشني به جريان خاموشي نسبت به ساختار اصلي، Regular SOI-JLFET شده است. نتايج شبيه‌سازي نشان مي‌دهد ساختار SOIJLFET Aug با طول كانال nm 20، mV/dec 71 ~ SS و نسبت 10^13 ~ ION/IOFF دارد. SS و نسبت ION/IOFF ساختار SOI-JLFET Aug نسبت به ساختار Regular SOI-JLFET با ابعاد مشابه، به ترتيب 14% و سه دهه بزرگي بهبود يافته‌اند. افزاره SOI-JLFET Aug مي‌تواند كانديد مناسبي براي كاربردهاي ديجيتال باشد.