ارائه ساختاري نوين از فوتوديود شكست بهمني InGaAs / Si SACM photodiode avalanche جهت آشكار‌سازي در طول موج تابشي 1550 نانومتر

در اين مقاله يك آشكارساز مبتني بر پديده شكست بهمني ( SACM APD InGaAs/Si ) براي آشكار‌ساز نور در طول موج 1550 نانومتر ارائه گرديده است . اين آشكارساز با ساختا ر ي ساده ، از حيث لايه‌ها تعريف و كميت‌هاي اصلي آشكار‌سازي آن همانند جريان تاريك ، جريان تابش ، بهره و پاسخ‌دهي، بهينه شده است. وجه برتري و تمايز اين آشكار‌ساز اين است كه ولتاژ باياس آن كمتر از مدل هاي موجود در مراجع معرفي شده مي‌باشد و كميت‌هاي آشكار‌سازي آن نيز، قابل رقابت با آنها مي‌باشد. اين ولتاژ باياس حداقل 41 % از ديگر مراجع تطبيقي در شرايط مشابه كمتر است. در شاخص(0.9Vbr) ‌ ، جريان تابش Aμ 8.3 و جريان تاريك  4.9nA حاصل گشته است. در ولتاژ باياس 25 ولت جريان تابش Aμ  51 و جريان تاريك  21 نسبت به فوتوديود مشابه افزايش مي يابد. از اين آشكار‌ساز براي كاربري‌هاي خاصي كه نياز به جريان تاريك بسيار پايين دارند نيز، مي‌توان بهره برداري نمود.