بررسي ومقايسه نانو ماسفت هاي دوگيته با cntfet

No title

در دهه هاي اخير به علت پيشرفت زياد در الكترونيك، طول كانال ماسفت ها به مقياس دكا نانو و سرعت دو قطبي ها نيز به هزاران گيگاهرتز رسيده است. در چنين ماسفت هايي كه اندازه قطعه از طول پراكندگي حامل كوچك تر است احتمال اين كه حامل ها كانال را از الكترود هاي سورس به درين بدون مواجهه با رخداد پراكندگي طي كنند بسيار زياد مي باشد؛ به چنين ترابردي به اصطلاح ترابرد باليستيك گويند. ولي در عمل مشخصات نانو ماسفت ها با حالت ايده آل و ترابرد باليستيك فاصله داشته كه اين به خاطر وجود پراكندگي در كانال مي باشد. دراين كار پژوهشي علل ايجاد پراكندگي در كانال بررسي شده و در آخر راهكارهايي براي كاهش آن مطرح گرديده است. يكي از موارد كاهش پراكندگي كانال استفاده از نانولوله هاي كربني در كانال بوده كه تاثيرات آن مورد بررسي قرار گرفته است. در آخر نيز با استفاده از شبيه ساز سيلواكو منحني مشخصه V-I يك FET دو گيته با CNTFET دوگيته ترسيم و مقايسه شده است.

No abstract