آنتن دو قطبي مغناطيسي-الكتريكي با خصيصه قطبش دايروي و الگوي تشعشعي يك جهته با هدف بهبود پهناي باند

در اين مقاله ساختار جديد و فشرده اي از آنتن يك جهته كه از يك دوقطبي الكتريكي صفحه اي و يك المان اتصال كوتاه شده تشكيل شده، معرفي مي‌شود. اين آنتن توسط يك خط تغذيه Γ شكل تحريك مي گردد. پهناي باند امپدانسي عريضي در بازه فركانسي 1.3 گيگاهرتز تا 3 گيگاهرتز در عملكرد خروجي اين آنتن مشاهده مي‌شود. الگوهاي تشعشعي پايه دار با سطح گلبرگ اصلي بالا و سطح گلبرگ فرعي و پشتي كم از خصايص ديگر آنتن معرفي شده اند. فرايند طراحي آنتن به صورت پله به پله و پارامتريك بر مبناي مقادير كليدي هندسه آنتن صورت پذيرفته است. خصيصه اصلي آنتن مورد نظر، تحقق قطبش دايروي در درصد بالايي از پهناي باند كاربردي است. الگوهاي تشعشعي صفحات متعامد E و H همراه با الگوهاي قطبش دايروي چپگرد و راستگرد براي آنتن مورد نظر استخراج شده و مورد تحليل قرار گرفته است. شباهت زيادي ميان الگوي صفحه ايE و H وجود دارد كه نشان دهنده دقت فرايند طراحي است. از سوي ديگر براي مطالعه حالت قطبش دايروي، نمودارهاي چپگرد و راستگرد بر مبناي جهت بيم اصلي و سطح قطبش متعامد داراي عملكرد قابل قبولي هستند. بيشينه بهره كلي آنتن در باند فركانس طراحي شده نزديك 10 دسيبل است.