بررسي رفتار نشست ولتاژ كنترل در مدارهاي حلقه قفل فاز با در نظر گرفتن اثرات غير ايده آل و حساسيت به تغييرات المان هاي مدار

در اين مقاله به بررسي جامعي از چگونگي رفتار نشست ولتاژ كنترل در اسيلاتورهاي كنترل شده با ولتاژ(VCO) با در نظر گرفتن همه عوامل غيرايده‌آل در مدارهاي حلقه قفل فاز پرداخته شده است. همچنين ساختارهاي مختلف آشكار ساز فاز و تاثير آنها بر روي سرعت قفل شدن مدار حلقه قفل فاز، ريپل ولتاژ كنترل و محدوده فركانسي قفل با هم مقايسه خواهد شد. سه مدار حلقه قفل فاز با آشكا ساز فاز XOR، آشكارساز RS-FF و آشكارساز فاز ديناميكي در اين مقاله بررسي شدند. شبيه سازيها در تكنولوژي 180 نانو متر CMOS و با منبع تغذيه 1/8 ولت انجام شد. نتايج شبيه سازي نشان مي دهد محدوده عمل مدار حلقه قفل فاز شامل آشكار فاز ديناميكي با مدار پمپ بار نسبت به اثرات غير ايده آل نسبت به مدار حلقه قفل فاز شامل آشكارساز فاز XOR و مدار حلقه قفل فاز شامل آشكارساز فاز RS- FF جهش ولتاژ كمتري دارد. مدار حلقه قفل فاز شامل آشكارساز فاز ديناميكي در تكنولوژي 180 نانومتر CMOS طراحي شده است و به ازاي ولتاژ تغذيه ي 1/8 ولت محدوده فركانسي 0/284 تا 3/33 گيگاهرتز و توان مصرفي 2/86 ميلي وات و نويز فازي ( dBc/Hz ) -118/8 به دست آمد.