شماره ركورد
1364262
عنوان مقاله
بررسي خواص الكتروني، مغناطيسي و اپتيكي تركيب تمامهويسلر Ti2ScGeبا استفاده از نظريه تابعي چگالي
پديد آورندگان
محمدي بيلانكوهي ، سارا دانشگاه پيام نور - گروه فيزيك , غفوريان ، حسين دانشگاه پيام نور - گروه فيزيك , كرمي ، فاطمه دانشگاه فني حرفه اي خرم آباد - گروه فيزيك
از صفحه
49
تا صفحه
56
كليدواژه
اسپينترونيك , تركيبات تمامهويسلر , خاصيت نيمفلزي , خواص اپتيكي
چكيده فارسي
خواص الكتروني، مغناطيسي و اپتيكي تركيب تمامهويسلر Ti2ScGe با استفاده از نظريه تابعي چگالي مورد بررسي و مطالعه قرار گرفت. اولين چيزي كه بايد مورد بررسي قرار بگيرد ساختار پايدار براي تركيب تمامهويسلر است كه بعد از بررسيهاي به عمل آمده، ساختاري با عنوان نوع a در حالت فرومغناطيس در نظر گرفته شد. اين تركيب براي اولين بار در اين مقاله مورد مطالعه قرار گرفته است و در شرايط مورد بررسي، به عنوان يك نيمفلز فرومغناطيس با گاف نيمفلزي به اندازه 4/0 الكترونولت شناخته شد. اين تركيب چند فاكتور مورد قبول براي كاربردي بودن در ساخت ابزار اسپينترونيك دارد. از جمله آنها، خاصيت نيمفلزي، دماي كوري بالا در حدود 1086 كلوين، پايدار بودن آن در حالت فرومغناطيس و پيروي از قانون اسليتر پايولينگ است. همچنين بررسي خواص اپتيكي نشان داد كه تركيب تمام هويسلر Ti2ScGeميتواند به عنوان جاذب امواج نيز مورد مطالعه بيشتر قرار بگيرد.
عنوان نشريه
اپتوالكترونيك
عنوان نشريه
اپتوالكترونيك
لينک به اين مدرک