بررسي رفتار الكترومغناطيسي كامپوزيت‌هاي زمينه سراميكي TiC/Ti3AlC2 سنتز شده به روش درجا

هدف از انجام پژوهش حاضر، بررسي تأثير تقويت‌كننده فاز مكس Ti3AlC2 بر رفتار الكترومغناطيس كامپوزيت‌هاي زمينه TiC است. در اين رابطه، از فرايند آسياب‌‌كاري و عمليات حرارتي ثانويه براي سنتز كامپوزيت مورد نظر بهره گرفته شد. بررسي ساختارهاي حاصل توسط ميكروسكوپ الكتروني روبشي، آناليز حرارتي افتراقي و دستگاه پراش‌سنج پرتو ايكس انجام شد. بررسي رفتار الكترومغناطيسي توسط دستگاه تحليلگر شبكه‌اي دنبال شد. بررسي‌هاي انجام شده نشان داد كه امكان ايجاد ساختار كامپوزيتي TiC/Ti3AlC2 به‌صورت درجا پس از آسياب‌كاري وجود دارد. بررسي‌هاي الكترومغناطيسي نشان داد، رفتار جذب الكترومغناطيسي كامپوزيت زمينه سراميكي TiC/Ti3AlC2 نسبت به TiC اوليه بهبود يافته است، به‌‍‌صورتي كه كمترين اتلاف بازتاب كامپوزيت مذكور آسياب‌شده برابر با 19/46- دسي‌بل در محدوده بسامدي باند 1 الي 18 گيگاهرتز بود. پس از عمليات آنيل در دماي 1400 درجه سانتي‌گراد، مشخص شد فاز Ti3AlC2 حاصل از فرايند آسياب‌كاري پايدار نبوده و به محلول جامد تك‌فاز TiCx تبديل شد. بررسي‌هاي الكترومغناطيسي نمونه آنيل‌شده نشان داد پس از حذف فاز مكس، رفتار جذب الكترومغناطيسي تضعيف مي‌شود. بدين‌گونه كه كمترين اتلاف بازتاب نمونه آنيل‌شده برابر با 9/82- دسي‌بل بود.