ارائه ساختار مقايسه‌ كننده سه‌ سطحي چند‌ ورودي كامل بر پايه ترانزيستور اثر ميداني نانو لوله كربني

رشد فزاينده اندازه داده ها در سيستم هاي پردازشي ديجيتال، باعث افزايش تعداد اتصالات بين بلوك هاي مختلف سيستم هاي پردازشي شده است، يك راهكار اين است كه با استفاده از طراحي و پياده سازي سيستم هاي پردازشي چند سطحي، اندازه داده هاي پردازشي را كاهش داد، از طرفي مساله مهم در پياده سازي سيستم هاي پردازشي چند سطحي، استفاده از ترانزيستورهاي است كه قابليت پياده سازي سيستم هاي چند ارزشي را داشته باشند. بخاطر قابليت ويژه ترانزيستور اثر ميداني نانو لوله كربني در تنظيم ولتاژ آستانه مختلف، اين ترانزيستورها گزينه مناسبي براي پياده سازي سيستم هاي چند سطحي است و در مقايسه با ترانزيستورهاي اثر ميداني فلز عايق نيمه هادي در پياده سازي سيستم هاي چند سطحي انتخاب بهتري مي باشد. در اين مقاله گزارشي از پياده سازي مقايسه كننده سه سطحي تك رقمي و دو رقمي بر پايه تكنولوژي ترانزيستور اثر ميداني نانو لوله كربني ارائه شده است. نتايج شبيه سازي در محيط نرم افزار HSPICE نشان مي دهد توان مصرفي مقايسه كننده سه سطحي دو رقمي 0.55 ميكروات و زمان تاخير انتشار 70 پيكو ثانيه مي باشد، ضمناً پياده سازي مقايسه كننده هاي پيشنهادي بر پايه تكنولوژي ترانزيستورهاي اثر ميداني نانو لوله كربني 32 نانو متر انجام شده است.