تحليل اثرات دمايي و ميدان الكتريكي عمودي بر انتشار امواج الكتريكي عرضي در سيليسن تك‌لايه

در اين مقاله ما به صورت تحليي اثرات دمايي و ميدان الكتريكي عمود بر سطح سيليسن را روي محدوده انتشار امواج الكتريكي عرضي  در محدوده فركانسي 1 تا  30 تراهرتز مورد بررسي قرار داده ايم. ساختار اتمي تك لايه سيليسن برخلاف گرافن، مسطح نيست و همين موضوع باعث شده، رسانايي سطحي سيليسن علاوه بر تراز فرمي، با ميدان الكتريكي عمود بر سطح سيليسن نيز قابل تنظيم باشد. اين ويژگي باعث مي شود كه سيليسن نسبت به گرافن در محدوده وسيعتري بتواند امواج الكتريكي عرضي را منتشر كند. طبق نتايج شبيه سازي بر پايه معادلات كوبو، به ازاي ميدان الكتريكي عمودي mV/Å 100، پهناي باند انتشار امواج الكتريكي عرضي در دماهاي K 5، K 100، K 200 و K 300 به ترتيب برابر با THz 9.2، THz 8، THz 3.1 و THz 0.9 است. با افزايش ميدان الكتريكي عمودي به mV/Å 200، پهناي باند براي دماهاي مذكور به ترتيب برابر با THz 20.7، THz 20.6، THz 16.7 و THz 11.7 خواهد بود. در ميدان الكتريكي عمودي mV/Å 300 اين مقادير به ترتيب ذكر شده برابر با THz 29، THz 28.8، THz 26.4 و THz 21.8 مي‌شوند. همچنين طول حبس امواج TE در محدوده‌هاي انتشار نيز بدست آمده است كه نشان مي‌دهد با افزايش دما طول حبس زياد خواهد شد.