پياده‌ سازي مقايسه ‌كننده با ورودي چهارسطحي و خروجي سه‌ سطحي بر پايه تكنولوژي ترانزيستور اثر ميداني نانو لوله كربني

با توجه به بزرگ ‌شدن داده‌هاي پردازشي، سيستم‌هاي پردازشي بايد طوري طراحي شوند كه فضاي كمتري را اشغال كنند. بزرگ‌ شدن سيستم‌هاي پردازشي، باعث رشد اندازه داده‌ها شده و از طرفي مشكلات كوچك‌سازي ترانزيستورهاي اثر ميداني فلز عايق نيمه‌هادي طراحان مدارات پردازشي را با مشكلات عديده‌اي مواجه كرده است. ايده جايگزيني مدارهاي پردازشي باينري با مدارهاي پردازشي چندسطحي باعث كاهش اتصالات بين سيستم‌ها و فضاي مصرفي مي‌شود. چون پياده‌سازي مدارهاي پردازشي چندسطحي با تكنولوژي ترانزيستورهاي اثر ميداني فلز عايق نيمه‌هادي، بسيار پيچيده و مشكل‌آفرين است، جايگزين مناسب براي ترانزيستور اثر ميداني فلز عايق نيمه‌هادي، فناوري ترانزيستورهاي نانولوله كربني است كه مزاياي بسياري همانند امكان ساخت ترانزيستور با ولتاژ آستانه متفاوت دارد و چالش‌هاي طراحي را در پياده‌سازي سيستم‌هاي چندسطحي كاهش مي‌دهد. اين مقاله، ساختار سطح ترانزيستوري مقايسه‌كننده‌هاي چهارسطحي تك‌رقمي و چندرقميو مدارهاي سطح ترانزيستوري به همراه تكنيك‌هاي مداري را ارائه مي‌كند. نتايج شبيه‌سازي نيز نشان مي‌دهند كه مقدار تأخير انتشار و توان مصرفي در مقايسه‌كننده تك‌رقمي چهار‌سطحي به ترتيب 17.3 پيكوثانيه و 4.59 ميكرووات و شاخص PDPاين مقايسه‌كننده 79.2 آتوژول است. همه نتايج شبيه‌سازي مقايسه‌كننده‌هاي چهارسطحي در اين مقاله با استفاده از ترانزيستورهاي اثر ميداني نانولوله كربني و تكنولوژي 32 نانومتر در نرم‌افزار HSPICEبه ‌دست آمده است.