بررسي خواص الكتروني و گرمايي بلور SnN – InO با روش نظريۀ تابعي چگالي

در اين پژوهش، با استفاده از نظريۀ تابعي چگالي، ويژگي هاي الكتروني و ترموالكتريكي بلور دوبعدي SnN-InO مورد مطالعه قرار گرفته است. نانوساختار SnN-InO، يك مادۀ ترموالكتريك لانه زنبوري دوبعدي با گاف نواري غيرمستقيم eV 0/5 است. با استفاده از ساختار الكتروني به محاسبۀ ضرايب ترابردي ترموالكتريكي نظير ضريب سيبك كه تعيين‌كنندۀ اصلي خواص ترموالكتريكي است، ضريب رسانندگي الكتريكي و گرمايي الكتروني و معيار شايستگي پرداخته مي شود. محاسبات نشان مي دهند كه ضريب سيبك با افزايش دما، كاهش مي يابد و در محدودۀ تراز فرمي و انرژي هاي منفي، بيشترين مقدار را دارد. همچنين تغييرات معيار شايستگي نسبت به دما بسيار اندك است، به طوري كه در بازۀ دمايي ۴۰۰ كلوين به مقداري كمتر از 0/2، دستخوش تغييرات شده است. بنابراين نانوساختار SnN-InO، مي تواند به عنوان يك مادۀ ترموالكتريك خوب با معيار شايستگي 9/۰ در دماي اتاق مورد توجه قرار گيرد.