بررسي اثر بازپخت و ضخامت لايه جاذب Cs2AgBiI6 تهيه شده به روش تبخير گرمايي بر عملكرد سلول‌هاي خورشيدي پروسكايتي بدون سرب

پروسكايت‌هاي بدون سرب بر پايه بيسموت به‌عنوان يك جايگزين اميدواركننده براي پروسكايت هاي هاليد سرب، كه سمي بودن و ناپايداري آن‌ها يك چالش بزرگ براي تجاري‌سازي آن‌هاست، در نظر گرفته شده‌اند. با اين‌حال، پروسكايت‌هاي بدون سرب به دليل گاف انرژي بزرگ و كيفيت نامطلوب لايه نشاني، همچنان داراي مشكل بازده كم هستند. در اين پژوهش، پروسكايت دوكاتيوني Cs2AgBiI6 با پايداري به نسبت خوب با يك فرآيند تقطير ساده با موفقيت سنتز شده و سپس به روش تبخير گرمايي بر بستر متخلخل TiO2 لايه‌نشاني گرديد. اثر بازپخت و همچنين اثر ضخامت لايه پروسكايت تشكيل‌شده، به عنوان لايه جاذب در سلول خورشيدي پروسكايتي، بر ويژگي‌هاي نوري و الكتريكي آن بررسي شد. گاف انرژي مستقيم Cs2AgBiI6 در اثر بازپخت در دماي  oC250 برابر eV 1.92 شد و گستره جذب گسترده‌اي تا حدود nm 650 نشان داده شد. منحني‌هاي مشخصه چگالي جريان-ولتاژ و طيف نورتابي سلول‌هاي خورشيدي متخلخل ساخته‌شده با لايه جاذب پروسكايتي Cs2AgBiI6 نشان مي‌دهند كه با دماي بازپخت °C250 و ضخامت nm 400 بازده سلول به مقدار بهينه 0.9%  مي‌رسد. اين شرايط بهينه آشكارا با مشخصه‌هاي انتقال بار و پايداري نمونه‌ها نيز همخواني دارد.