بررسي اثرات ناشي از تراكم ناخالصي بستر و حداكثر توان تابشي ليزر بر پالس توليدي آنتن هاي نورهدايتي تراهرتز

Investigation of the Carrier Concentration and Laser Peak Intensity on the Terahertz Pulse Generated by Photoconductive Antennas

در اين مقاله، بررسي نحوه توليد امواج تراهرتزي آنتن نورهدايتي با بستر گاليم آرسنايد، براي استفاده در ساختار رادارهاي تراهرتز را بررسي خواهيم كرد. اين آنتن كه بر بستر گاليم آرسنايد رشد داده شده در دماي پايين ساخته مي شود و با تابش نور ليزر فمپتوثانيه‌اي تحريك مي گردد. هر سه بخش مورد نياز در اين نوع آنتن، يعني منبع، خط انتقال و بخش تشعشع كننده، در ساختار آن خلاصه مي‌شود. بستر نقش منبع و خط انتقال را ايفا كرده و اتصالات وظيفه بخش تشعشع كننده را انجام مي دهند. افزايش در ميزان تراكم حامل هاي بستر آنتن و توان تابشي نور ليزر موجب افزايش توان تابشي آنتن مي شود و عرض پالس حاصله را كاهش مي دهد.

The possibility of terahertz generation has been investigated from a photoconductive switch based on GaAs, gated by a femtosecond laser. The emission properties of photoconductive antenna (PCA) have been studied with low-temperature-grown (LT)GaAs. In such GaAs materials, presence of the charged defects induces a redistribution of the electric field between the antenna electrodes. This effect has a huge influence on the amplitude of the radiated terahertz field. In this work, we demonstrate that carrier concentration enhances radiation power. Results obtained as a function of the laser excitation power (with 100 fs rise time and 1 KHz repetition rate) and carrier concentration are discussed and a comparison of the performance of these devices is given with a conventional antenna-type (dipole) emitter.