بررسي اثرقطر نانولوله در رفتار ترانزيستورهاي نانولوله كربني با نواحي سورس و درين كم‌غلظت

Study of Nenotube Diameter Effect on Carbon NanoTube Field Effect Transistors

در ا ي منقاله، ترانزيستور نانولوله كربني با نواحي سورس و در ي كنمغلظت را با استفاده از روش توابع گر ينغ ي رتعادلي در ي بعد ك شب يسهازي كردهايم . ترانزيستور نانولوله كربني كه در نزد ي ا كتيصالات سورس و در ي آنن نواحي كم غلظت در نظر گرفتهايم، اصطلاحاً ترانزيستور LDDS-CNTFET ناميده مشو يد. در بخشي از ا ي منقاله تاث ي ترغيير قطر نانولوله را بر روي رفتار ا ي ننوع ترانزيستور مورد بررسي قرار دادهايم. با اعمال ا ي تغ نييرات مشاهده مشو يد كه با افزا ي قط شر نانولوله جريان حالت روشن افزا ي ياف شته ولي نسبت جريان حالت روشن به حالت خاموش كاهش يافته و زمان تاخ ي ارفزاره ن يز كاهش ماب ييد. همچن ي با ن تغيير ياد شده حساس ي جتريان نشتي و تاخ ي رو حاصلضرب توان در تاخ ي ارفزاره همگي نسبت به مزيان غلظت سورس و در يكناهش ماب ييد.

In this paper we simulate a carbon nanotube Field Effect transistor that have lightly doping in source and drain regions (LDDS-CNTFET) using 1D Non-Equilibrium Green’s Function (NEGF) Method. The transistor with lightly doped regions between the intrinsic channel and the highly doped source and drain known as LDDS- CNTFET. In some part of paper, we study the relation of transistor with making change in nanotube diameter. Applying this changes‚ due to larger ION‚ lower ON–OFF ratio (ION/IOFF) and a shorter delay time. Leakage current, delay time and power–delay product (PDP) in a larger diameter device, have lower sensitivity towards source and drain lightly doped regions concentration.